目前主要的晶圆切割技术为划线及锯切，其问题在于碎片和凿孔会沿着晶粒的断裂边缘形成，裂痕会形成及从晶粒边缘传布到基板内，导致集成电路无效。
利用等离子体的无接触处理，可有效解决50um以内的薄晶圆及10um以内的细间距的晶圆切割问题。
（1）可利用多步骤激光划线工艺进行最初剥离，以剥穿遮罩层、通过晶圆切割道(包括金属化层)并部分进入硅基板。
（2）进行后续穿硅深等离子体蚀刻，以完成芯片的单粒化。
目前主要的晶圆切割技术为划线及锯切，其问题在于碎片和凿孔会沿着晶粒的断裂边缘形成，裂痕会形成及从晶粒边缘传布到基板内，导致集成电路无效。
利用等离子体的无接触处理，可有效解决50um以内的薄晶圆及10um以内的细间距的晶圆切割问题。
（1）可利用多步骤激光划线工艺进行最初剥离，以剥穿遮罩层、通过晶圆切割道(包括金属化层)并部分进入硅基板。
（2）进行后续穿硅深等离子体蚀刻，以完成芯片的单粒化。
