THKCHIP
低成本/小型化/简化的研发系统
1. 热微型 ALD
- 层流型
- 单一热型
- 负载锁和集群系统
2. 等离子微型 ALD
| 项 目 | 内 容 |
| 腔室类型 | Lateral type (Traveling wave) |
| 反应类型 | Using Plasma & Thermal (H2O, DI) |
| 基板尺寸 | 8inch (200mm) |
| 尺寸（宽 x 长 x 高） | 700 x 1100 x 1260 mm |
| 重量 | <120kg |
| 均匀性 | ≤±2% (Within 25point EE15mm) |
| ≤±1% (Wafer to Wafer) | |
| 循环时间 | ≤ 10sec/Cycle |
| 每循环生长 | ≤ 1.2Å/Cycle |
| 沉积速率 | ≥ 7Å/min (Ref, Al2O3) |
| 等离子电源 | RF 13.56MHz, CCP Type, 600W |
| RI | Al2O3 : 1.55~1.65 / SiO2 : 1.4 ~ 1.5 |
| TiO2 : 1.9~2.0 and ETC | |
| 透射率 | ≥ 95% (50nm Thickness On Glass) |
| WVTR（@50nm） | Single Layer : Low 10E-3 g/m2-day |
| Nanolaminate : Low 10E-5 g/m2-day | |
| 基准压力 | ≤ 5.0x10-3Torr (≤ 5min) |
| 工艺压力 | 0.5~2 Torr |
| 基板温度 | Max. 400℃, ≤±1% (On Set Temp.) |
| 材料 | Chamber: Al6061 |
| Heater : Block heater | |
| 可用沉积膜 | Metal Oxide by O2 Plasma / DI / O3 |
| Metal Nitride by NH3 , N2 Plasma | |
| Metal by H2 Plasma | |
| O3 发生器（可选） | O3 Generator _ 220g/cm3 _ 2L/min |
| 真空计 | ATM Switch |
| Baratron Gauge(<10 Torr) | |
| 泵类型 | Oil Rotary Pump (<1000L/min) |
| ETC | By-pass Line at each Feeding Line |
| Laptop Notebook Control |
